Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC205N10LSG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC205N10LS

BSC205N10LSG Hakkında

BSC205N10LSG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 45A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 20.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount pakajda (8-PowerTDFN) sunulan bu komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED denetleyicileri ve çevirici devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 43µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok