Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC205N10LS G
MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC205N10LS
BSC205N10LS G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC205N10LS G, N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup 100V drain-source gerilim derecelendirilmesine sahiptir. 45A maksimum drain akımı (Tc) ve düşük on-resistance karakteristiği (20.5mΩ @ 45A, 10V) ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, ağır yük anahtarlaması ve elektriksel dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 41nC gate charge ve 2900pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 76W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 43µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok