Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC200P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC200P03LSG
BSC200P03LSGAUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC200P03LSGAUMA1, 30V drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 25°C'de 9.9A (Ta) ve 63W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 20mΩ maksimum on-state direnci (Rds On), düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devreleri, USB uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlama regülatörlerinde kullanılır. 48.5nC kapı yükü ve 2430pF giriş kapasitansı ile hızlı komütasyon gerektiğinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2430 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok