Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC196N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC196N10NSG
BSC196N10NSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC196N10NSGATMA1, 100V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. 8.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 45A pik drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 19.6mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalarda verimlidir. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 34nC gate charge ve 2300pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik şebeke kontrolü gibi yüksek akım uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.6mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 42µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok