Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC190N15NS3
BSC190N15NS3GATMA1 Hakkında
BSC190N15NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 19mΩ maximum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (TDSON-8-1) yüzey montaj paketi içinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 125W güç dağılımı kapabilir. ±20V gate voltajı sınırları içinde kontrol edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde, endüstriyel uygulamalar ve çevirici tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2420 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok