Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC190N12NS3
BSC190N12NS3GATMA1 Hakkında
BSC190N12NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 44A sürekli akım kapasitesi (Tc'de) ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp gerilimi sağlar. 8-pin PowerTDFN SMD paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında ve ±20V gate voltajında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 39A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 42µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok