Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC16DN25NS3
BSC16DN25NS3GATMA1 Hakkında
BSC16DN25NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim ve 10.9A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, motor denetim devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve ±20V maksimum gate-source geriliminde stabil çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok