Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC160N10NS3
BSC160N10NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC160N10NS3GATMA1, N-kanal MOSFET transistörüdür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8.8A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 60W güç tüketimi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mOhm cinsinden düşük on-state direnci (Rds) sayesinde ısıl kayıpları azaltır. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, enerji yönetim sistemleri ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok