Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC152N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC152N10NS
BSC152N10NSFGATMA1 Hakkında
BSC152N10NSFGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 63A (Tc) maksimum drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 15.2mOhm on-resistance değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, switching çevrelerine, motor kontrol devrelerine, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlere uygulanır. 8-pin PowerTDFN paket tipi ile kompakt tasarımlar için idealdir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 29nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği tanımlar. Yüksek entegrasyon ve verimli ısı dağıtımı için tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 72µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok