Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC13DN30NSFDATMA1

MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC13DN30NSD

BSC13DN30NSFDATMA1 Hakkında

BSC13DN30NSFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilim (Vdss) ve 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 130mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 8-PowerTDFN (TDSON-8) SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç yayınlayabilir. Gate yükü 30nC olup 10V sürüş gerilimi ile kontrol edilir. Yüksek frekans SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 150 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok