Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC130P03LSGAUMA1

MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
BSC130P03LS

BSC130P03LSGAUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC130P03LSGAUMA1, 30V drain-source geriliminde çalışan bir P-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 22.5A drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 13mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerVDFN yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate gerilimi ±25V aralığında uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3670 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 22.5A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok