Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC12DN20NS3
BSC12DN20NS3GATMA1 Hakkında
BSC12DN20NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11.3A sürekli dren akımı ve 125mΩ maksimum on-direnç ile tasarlanmıştır. 8-TDSON yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. 50W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok