Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC123N10LS
BSC123N10LSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC123N10LSGATMA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel power MOSFET'tir. 71A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 12.3mΩ (10V, 50A) on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, pil yönetimi, motor sürücüsü, DC-DC dönüştürücüler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Ta), 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 72µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok