Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC123N08NS3
BSC123N08NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC123N08NS3GATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 55A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Power-TDSON 8-pin yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12.3mOhm maksimum on-state resistance (RDS(on)) ile düşük ısıl kayıp sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç denetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 66W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok