Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC120N03MSG
BSC120N03MSGATMA1 Hakkında
BSC120N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı (Ta), 39A (Tc) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarından orta güç devrelerine kadar kullanılabilir. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, motorlar için driver devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir, 28W maksimum güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok