Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC120N03LS
BSC120N03LSGATMA1 Hakkında
BSC120N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı (Ta), 39A ise ısıl koşullarda (Tc) sağlar. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Power TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık toleransı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. Gate charge değeri 15nC @ 10V olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, elektrik yönetimi sistemleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok