Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC119N03S
BSC119N03S G Hakkında
BSC119N03S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesinde çalışan bu bileşen, 25°C'de 11.9A ve 150°C'de 30A sürekli drain akımı sağlayabilir. 11.9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. Gate kapasitesi 1370pF ve gate yükü 11nC olarak belirtilmiştir. Surface Mount teknolojisi ile 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Bileşen obsolete konumunda olup, yeni tasarımlarda yerine başka alternatifler tercih edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.9A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok