Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC118N10NS
BSC118N10NSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC118N10NSGATMA1, 100V drenaj-kaynak voltaj derecesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 25°C ortam sıcaklığında 11A ve 71A(Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10.8mΩ(50A, 10V) ile belirtilen RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. 56nC @ 10V kapı yükü hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir. Surface Mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C jüksiyonra sıcaklığı aralığında çalışabilir ve 114W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok