Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC117N08NS5AT
BSC117N08NS5ATMA1 Hakkında
BSC117N08NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajına ve 49A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TDSON-8 paketinde sunulan transistör, düşük Rds(on) değeri (11.7mOhm @ 10V) sayesinde enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.5W (Ta) ve 50W (Tc) güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel ve ticari sistemlerde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok