Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC109N10NS3
BSC109N10NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC109N10NS3GATMA1, 100V drain-source geriliminde 63A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10.9mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, elektrik araç uygulamalarında ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 35nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleri, hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok