Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC106N025S
BSC106N025S G Hakkında
BSC106N025S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 13A (Ta) ve 30A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 10.6mOhm olup, düşük ısı kayıpları ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 8-PowerTDFN paket tipinde tasarlanan BSC106N025S, güç yönetimi uygulamaları, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü devreleri gibi düşük-voltaj, orta-akım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve otomotiv ortamlarında kullanım sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok