Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC100N06LS3G
BSC100N06LS3GATMA1 Hakkında
BSC100N06LS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli akım (Ta), 50A sürekli akım (Tc) kapasitesine sahiptir. 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 2.5W (Ta)/50W (Tc) güç ürün yönetim kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok