Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC100N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC100N03LS

BSC100N03LSGATMA1 Hakkında

BSC100N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 44A (Tc) maksimum drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10mΩ drain-source direnci (RDS On) ve düşük gate charge karakteristiği ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Bileşen obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok