Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC0996NSATMA1

MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC0996NS

BSC0996NSATMA1 Hakkında

BSC0996NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 34V drain-source voltajında 13A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 9mOhm on-resistance ile çalışır. TDSON-8-5 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 34 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok