Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC098N10NS5
BSC098N10NS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC098N10NS5ATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. 9.8mΩ maksimum on-state direnci ile güç uygulamalarında düşük ısıl kayıp sağlar. TDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 69W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok