Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC097N06NSTATMA1

MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC097N06NS

BSC097N06NSTATMA1 Hakkında

BSC097N06NSTATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 13A sürekli (Ta) ve 48A sürekli (Tc) dren akımı sağlamaktadır. 9.7mΩ max Rds(on) değeri ile düşük açık direnç özelliği sunarak enerji kayıplarını minimize eder. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler ve motor kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. 15nC gate charge ve 1075pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1075 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 14µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok