Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC097N06NSA
BSC097N06NSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC097N06NSATMA1, 60V drain-source geriliminde 46A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistörtür. 9.7mΩ Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. TDSON-8-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabildir. Gate charge değeri 15nC olup hızlı anahtarlama yeteneğine sahiptir. Ayrıca ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.3V eşik gerilimi ile kontrolü kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok