Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC096N10LS5ATMA1
BSC096N10LS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC096N10LS5ATMA1, 100V drain-source gerilim ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel Metal Oxide Semiconductor FET'tir. TDSON-8-6 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-state direncine (9.6mΩ @ 20A, 10V) sahiptir ve -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilen tasarımı, kontrol devrelerinin doğrudan entegrasyonuna izin verir. Gate charge (14.6nC) ve input capacitance (2100pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri yansıtır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok