Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC094N06LS5ATMA1
BSC094N06LS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC094N06LS5ATMA1, 60V drenaj-kaynak geriliminde 47A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-6) paket içinde sunulan bu devre elemanı, düşük 9.4mOhm iç direnç değeri sayesinde enerji kayıplarını azaltmaktadır. Maksimum 36W güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok