Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC090N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC090N03MSG

BSC090N03MSGATMA1 Hakkında

BSC090N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 48A kapasite (Tc) ile çalışır. 9mΩ ile düşük RDS(on) direncine sahip olup, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum kapı gerilimi ile geniş çalışma aralığına ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonuna uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok