Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC090N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC090N03LS
BSC090N03LSGATMA1 Hakkında
BSC090N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 13A (Ta) / 48A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 9mΩ drain-source direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-5) yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 32W güç dissipasyonu (Tc) kapasitesine sahiptir. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 2.2V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Düşük gate charge (18nC @ 10V) ve düşük input kapasitans (1500pF @ 15V) ile yüksek anahtarlama hızlarında etkin kullanım sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve fotovoltaik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok