Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0909NS
BSC0909NSATMA1 Hakkında
BSC0909NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 34V drain-source gerilimi ve 12A (Ta) / 44A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (9.2mΩ @ 10V, 20A) nedeniyle güç dönüştürme uygulamalarında, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyguntur. 2.5W (Ta) / 27W (Tc) güç yayılma kapasitesi ile yüksek entegrasyonlu şarj ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 34 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok