Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0906NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0906NSA
BSC0906NSATMA1 Hakkında
BSC0906NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source geriliminde çalışarak 18A sürekli akım (Ta=25°C) ve 63A akım (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 13nC ve giriş kapasitanı 870pF ile hızlı komütasyon özelliği sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konverterler, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Surface Mount TDSON-8 paketinde sunulan BSC0906NSATMA1, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren kompakt tasarımlarda tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok