Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0901NSI
BSC0901NSIATMA1 Hakkında
BSC0901NSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 28A sürekli akım (Ta) veya termal olarak 100A kapasitesiyle tasarlanmıştır. 2mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı açılıp-kapanması gereken endüstriyel kontrol, otomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok