Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0901NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0901NS
BSC0901NSATMA1 Hakkında
BSC0901NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 25°C'de 28A, kaynakta 100A sürekli drenaj akımı sağlar. 1.9mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sunar. TDSON-8 paket tipinde sunulan komponent, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, enerji depolama sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 44nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı imkân sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok