Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC085N025S G
MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC085N025S
BSC085N025S G Hakkında
BSC085N025S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj ve 35A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 8.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 14nC olup, 10V sürülme voltajında 2V eşik voltajı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Parça durumu itibariyle obsolete olmuş olmakla beraber, arşiv ve bakım projeleri için referans teşkil eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok