Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC084P03NS3
BSC084P03NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSC084P03NS3GATMA1, P-Channel MOSFET transistör olup 30V drain-source gerilim ve 14.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve pil yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük on-state direnci (8.4mOhm @ 10V) ile enerji verimli tasarımlar sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 58nC gate charge ve 4785pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok