Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC084P03NS3
BSC084P03NS3EGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC084P03NS3EGATMA1, 30V drain-source geriliminde çalışabilen P-Channel MOSFET transistördür. 14.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük taraf sürücüleri (low-side driver) gibi elektronik devrelerde kullanılır. 8.4mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-TDSON paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Mobil cihazlar, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok