Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC082N10LS
BSC082N10LSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC082N10LSGATMA1, 100V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 13.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 8.2mΩ düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 104nC ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım uygulamalarında tercih edilir. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok