Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC080N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC080N12LS
BSC080N12LSGATMA1 Hakkında
BSC080N12LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 120V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 8mΩ on-dirençi ile düşük güç kaybı sağlar. 156W güç tüketim kapasitesi ile enerji dönüşüm sistemlerinde, inverter devrelerde ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount PG-TDSON-8 paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenli işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 79nC ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 99A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 112µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok