Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC080N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC080N03MSG
BSC080N03MSGATMA1 Hakkında
BSC080N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 53A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TDSON pakajında sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, anahtar devreler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Surface mount montaj türü ile modern PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok