Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC080N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC080N03LS
BSC080N03LSGATMA1 Hakkında
BSC080N03LSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 53A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde üretilen BSC080N03LS, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motorlu uygulamalarda ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygunluk sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok