Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0805LSATMA1
100V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0805LSATMA1
BSC0805LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC0805LSATMA1, 100V drenaj-kaynak geriliminde çalışan yüksek akımlı N-Channel MOSFET transistördür. Logic level sürüş voltajı ile entegre devreler tarafından doğrudan kontrol edilebilir. 79A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 7mOhm (10V, 40A'da) düşük on-direnci sayesinde, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-PowerTDFN yüzey montajı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. DC/DC konvertörler, motor sürücüleri, LED aydınlatma kontrolü ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok