Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0803LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0803L
BSC0803LSATMA1 Hakkında
BSC0803LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile tasarlanmış olup, 10A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 44A maksimum drenaj akımı (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. Düşük on-resistance değeri (14.6mOhm @ 22A, 10V) ile güç kayıplarını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. TDSON-6 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge (10nC @ 4.5V) ve düşük input kapasitanası (1300pF @ 50V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok