Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC0802LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC0802LS
BSC0802LSATMA1 Hakkında
BSC0802LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli akım (Ta) / 100A (Tc) kapasitesine sahiptir. 3.4mΩ (10V, 50A) on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 156W maksimum güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-7) paketi ile güç yönetimi, motor kontrolü, aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 115µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok