Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC079N03LSCGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC079N03LS
BSC079N03LSCGATMA1 Hakkında
BSC079N03LSCGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörleridir. 30V Drain-Source gerilim ile 14A sürekli (Ta) ve 50A (Tc) drain akımında çalışır. 7.9mOhm maksimum on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma sunar. Gate yükü 19nC ve 1600pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok