Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC077N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC077N12NS3
BSC077N12NS3GATMA1 Hakkında
BSC077N12NS3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 10V gate sürüş voltajında 7.7mΩ on-direncine sahiptir. 25°C'de 13.4A, soğutma levhasında 98A maksimum sürekli drenaj akımı kapasitesiyle endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında güç anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 139W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Düşük on-direnci ve hızlı anahtarlama özellikleriyle motor kontrol, güç dönüştürücü ve LED aydınlatma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok