Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC076N06NS3
BSC076N06NS3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC076N06NS3GATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 7.6mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, TDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve elektrik gücü dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajında optimal performans gösterir ve 50nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok