Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC072N025S G

MOSFET N-CH 25V 15A/40A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC072N025S

BSC072N025S G Hakkında

BSC072N025S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 40A kapasite ile tasarlanmıştır. TDSON 8-pin yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (7.2mΩ @ 40A, 10V) karakteristiği sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, mobil cihazlar, adaptörler, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 18nC ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. Güncel üretim dışında olmasına rağmen, benzer özelliklere sahip yedek bileşenlerin yerini almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2230 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok