Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC070N10NS5SCATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
BSC070N10NS5

BSC070N10NS5SCATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC070N10NS5SCATMA1, 100V drain-source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 82A sürekli drenaj akımı (Tc) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 7mΩ maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN paket türündedir ve yüzey montajı uygulamalarına elverişlidir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve endüstri otomasyon sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. 3W (Ta) ve 100W (Tc) güç yayılımı kapasitesi ile ısıl yönetim açısından esnek çözümler sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 82A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-WSON-8-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok